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中研院院士胡正明 獲美「國家技術與創新」獎章
中研院表示，美國白宮日前宣布中研院工程組院士「胡正明」獲得美國政府科技創新領域貢獻卓越的專家所頒授的最高榮譽獎章「國家技術與創新獎章」，並將由美國總統歐巴馬親自頒授獎項。(余曉涵報導)
中研院31號宣布，工程組院士胡正明榮獲美國「國家技術與創新獎章」，這個獎章也是美國政府科技創新領域貢獻卓著的專家所頒授的最高榮譽獎章，今年共有8位獲獎人，美國總統歐巴馬也將於明年1月白宮頒獎典禮中親自頒授獎項。
中研院表示，胡正明曾經是半導體領域中的先驅領導者，他終身潛心於研發體積更小、耗電更少、性能更強、更可靠的電腦晶片。他開發的「電腦模擬微電路模式BSIM系列」在1996已經成為國際標準，至今仍然繼續研究更新，免費提供全球使用，用這個系列所設計的半導體晶片產值超過數千億美元。
中研院指出，胡正明最新研發成功的全新三維FinFET半導體晶片技術，是50年來半導體的革命性創新，目前FinFET晶片已使用於市面最新的蘋果和三星手機、電腦伺服器和其他高性能數位應用，預計未來將為電子資訊產業帶來更大的變革。
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新聞來源https://tw.news.yahoo.com/中研院院士胡正明-獲美-國家技術與創新-獎章-021750959--finance.html
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